Особенности динамики излучения, отражаемого тонким слоем инверсной среды

Abstract

В приближении сверхтонкого слоя резонансных атомов на основе численного моделирования и качественного анализа устойчивости равновесных состояний кинетической модели, образованной оптическими уравнениями Максвелла – Блоха, предсказывается возможность амплитудной автомодуляции излучения при отражении планарной приповерхностной пленкой инвертированной плотной резонансной среды. В качестве модельных параметров использованы материальные характеристики полупроводниковых квантоворазмерных структур в спектральной области экситонного резонанса.