Особенности генерации фемтосекундных импульсов полосковым полупроводниковым лазером

Abstract

На основании измерений АКФ первого порядка исследована зависимость дисперсионного параметра второго порядка для 8 полосковых GaAsInP полупроводниковых лазеров видимого спектрального диапазона от тока накачки. Обнаружено, что этот параметр стремится к нулю, когда ток накачки стремится к пороговому значению для стационарной генерации. Это обуславливает генерацию фемтосекундных импульсов, спонтанно возникающих в лазерном резонаторе при токах накачки в несколько раз ниже порогового тока. Сделан вывод о том, что затравочный фемтосекундный импульс является сверхизлучением активной среды лазера.