Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://libr.msu.by/handle/123456789/13685
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorКоваленко, О. Е.-
dc.contributor.authorХомченко, А. В.-
dc.contributor.authorГузовский, В. Г.-
dc.contributor.authorКорнеева, И. А.-
dc.date.accessioned2021-01-11T09:15:21Z-
dc.date.available2021-01-11T09:15:21Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier.citationВлияние газовых примесей па фотоэлектрические свойства тонкопленочных наноструктур полупроводник – диэлектрик / O. E. Коваленко, A. B. Хомченко, В. Г. Гузовский, И. А. Корнеева // Веснік Магілёўскага дзяржаўнага ўніверсітэта імя А. А. Куляшова. Сер. В. Прыродазнаўчыя навукі (матэматыка, фізіка, біялогія). – 2012. – № 2 (40). – С. 71–78.ru_RU
dc.identifier.urihttp://libr.msu.by/handle/123456789/13685-
dc.description.abstractИсследован механизм воздействия газовых примесей на фотоэлектрические свойства тонкопленочных наноструктур полупроводник – диэлектрик, полученных электронно-лучевым испарением в вакууме. Изучено влияние паров аммиака и воды на оптические и фотоэлектрические свойства наноструктур. Показана возможность использования данных структур в качестве селективных датчиков газа.ru_RU
dc.language.isootherru_RU
dc.publisherМагілёўскі дзяржаўны ўніверсітэт імя А. А. Куляшоваru_RU
dc.subjectфизикаru_RU
dc.titleВлияние газовых примесей па фотоэлектрические свойства тонкопленочных наноструктур полупроводник – диэлектрикru_RU
dc.typeArticleru_RU
Располагается в коллекциях:2012, № 2 (40)

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
4651n.pdf1 MBAdobe PDFЭскиз
Просмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.