Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://libr.msu.by/handle/123456789/17251
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Стаськов, Н. И. | - |
dc.contributor.author | Ивашкевич, И. В. | - |
dc.date.accessioned | 2021-11-25T08:37:49Z | - |
dc.date.available | 2021-11-25T08:37:49Z | - |
dc.date.issued | 2011 | - |
dc.identifier.citation | Стаськов, Н. И. Моделирование переходных слоев в структуре полупроводник-диэлектрик-полупроводник / Н. И. Стаськов, И. В. Ивашкевич // Оптика неоднородных структур – 2011 : материалы III Междунар. науч.-практ. конф., 16–17 февраля 2011 г. / редкол. : В. А. Карпенко [и др.]. – Могилев : МГУ имени А.А. Кулешова, 2011. – С. 92–94. | ru_RU |
dc.identifier.isbn | 978-985-480-702-7 | - |
dc.identifier.uri | https://libr.msu.by/handle/123456789/17251 | - |
dc.language.iso | other | ru_RU |
dc.publisher | Могилевский государственный университет имени А. А. Кулешова | ru_RU |
dc.subject | оптика | ru_RU |
dc.subject | проводники | ru_RU |
dc.title | Моделирование переходных слоев в структуре полупроводник-диэлектрик-полупроводник | ru_RU |
dc.type | Article | ru_RU |
Располагается в коллекциях: | 2011 (Полный текст) |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
S708.pdf | 323,5 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.