Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://libr.msu.by/handle/123456789/17251
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorСтаськов, Н. И.-
dc.contributor.authorИвашкевич, И. В.-
dc.date.accessioned2021-11-25T08:37:49Z-
dc.date.available2021-11-25T08:37:49Z-
dc.date.issued2011-
dc.identifier.citationСтаськов, Н. И. Моделирование переходных слоев в структуре полупроводник-диэлектрик-полупроводник / Н. И. Стаськов, И. В. Ивашкевич // Оптика неоднородных структур – 2011 : материалы III Междунар. науч.-практ. конф., 16–17 февраля 2011 г. / редкол. : В. А. Карпенко [и др.]. – Могилев : МГУ имени А.А. Кулешова, 2011. – С. 92–94.ru_RU
dc.identifier.isbn978-985-480-702-7-
dc.identifier.urihttps://libr.msu.by/handle/123456789/17251-
dc.language.isootherru_RU
dc.publisherМогилевский государственный университет имени А. А. Кулешоваru_RU
dc.subjectоптикаru_RU
dc.subjectпроводникиru_RU
dc.titleМоделирование переходных слоев в структуре полупроводник-диэлектрик-полупроводникru_RU
dc.typeArticleru_RU
Располагается в коллекциях:2011 (Полный текст)

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
S708.pdf323,5 kBAdobe PDFЭскиз
Просмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.