Импульсы сверхизлучения в тонком инверсном слое

Юревич, Ю. В.; Юревич, В. А.

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://libr.msu.by/handle/123456789/13443

Полная запись метаданных

Поле DC	Значение	Язык
dc.contributor.author	Юревич, Ю. В.	-
dc.contributor.author	Юревич, В. А.	-
dc.date.accessioned	2020-12-28T06:57:55Z	-
dc.date.available	2020-12-28T06:57:55Z	-
dc.date.issued	2015	-
dc.identifier.citation	Юревич, Ю. В. Импульсы сверхизлучения в тонком инверсном слое // Ю. В. Юревич, В. А. Юревич // Веснік Магілёўскага дзяржаўнага ўніверсітэта імя А. А. Куляшова. Сер. В. Прыродазнаўчыя навукі (матэматыка, фізіка, біялогія). – 2015. – № 2 (46). – С. 45–52.	ru_RU
dc.identifier.uri	http://libr.msu.by/handle/123456789/13443	-
dc.description.abstract	Для модельных параметров полупроводниковых квантоворазмерных структур проведен численный расчет процесса сверхизлучения (СИ), который развивается в субмикронном планарном слое инверсной среды из инициирующего излучения спонтанной люминесценции на частоте резонанса, соответствующей экситонным переходам. При моделировании учитывается возможность диполь-диполъного взаимодействия, сделана оценка его влияния на характеристики импульса СИ. Получено аналитическое выражение для огибающей импульса СИ.	ru_RU
dc.language.iso	other	ru_RU
dc.publisher	Магілёўскі дзяржаўны ўніверсітэт імя А. А. Куляшова	ru_RU
dc.subject	когерентные оптические эффекты	ru_RU
dc.subject	тонкая пленка активных атомов	ru_RU
dc.subject	плотная резонансная среда	ru_RU
dc.subject	квантоворазмерная полупроводниковая структура	ru_RU
dc.title	Импульсы сверхизлучения в тонком инверсном слое	ru_RU
dc.type	Article	ru_RU
Располагается в коллекциях:	2015, № 2 (46)

Файлы этого ресурса:

Файл	Описание	Размер	Формат
4413n.pdf		384 kB	Adobe PDF	Просмотреть/Открыть

Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.