Please use this identifier to cite or link to this item:
https://libr.msu.by/handle/123456789/13443| Title: | Импульсы сверхизлучения в тонком инверсном слое |
| Authors: | Юревич, Ю. В. Юревич, В. А. |
| Keywords: | когерентные оптические эффекты тонкая пленка активных атомов плотная резонансная среда квантоворазмерная полупроводниковая структура |
| Issue Date: | 2015 |
| Publisher: | Магілёўскі дзяржаўны ўніверсітэт імя А. А. Куляшова |
| Citation: | Юревич, Ю. В. Импульсы сверхизлучения в тонком инверсном слое // Ю. В. Юревич, В. А. Юревич // Веснік Магілёўскага дзяржаўнага ўніверсітэта імя А. А. Куляшова. Сер. В. Прыродазнаўчыя навукі (матэматыка, фізіка, біялогія). – 2015. – № 2 (46). – С. 45–52. |
| Abstract: | Для модельных параметров полупроводниковых квантоворазмерных структур проведен численный расчет процесса сверхизлучения (СИ), который развивается в субмикронном планарном слое инверсной среды из инициирующего излучения спонтанной люминесценции на частоте резонанса, соответствующей экситонным переходам. При моделировании учитывается возможность диполь-диполъного взаимодействия, сделана оценка его влияния на характеристики импульса СИ. Получено аналитическое выражение для огибающей импульса СИ. |
| URI: | http://libr.msu.by/handle/123456789/13443 |
| Appears in Collections: | 2015, № 2 (46) |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.