Расчет полей напряжений у единичного линзовидного двойника, находящегося в поле напряжений полубесконечной трещины антиплоского сдвига в монокристаллическом Ni2MnGa

Abstract

При реализации расчетов макроскопической модели получены графические результаты распределения полей напряжений в системе "полубесконечная трещина антиплоского сдвига – единичный линзовидный двойник" в Ni2MnGa. На их основании определены характеры распределения напряжений каждой из рассматриваемых компонент ст (x,y) и ст (x,y), отмечены участки концентрации наибольших и наименьших значений напряжений при наличии в Ni^nGa полубесконечной трещины и линзовидного двойника. Установлено, что отличительной особенностью компоненты ст (x,y) является наличие значительных напряжений на границах двойника, способных вдвое превысить модульные значения напряжений вершины трещины.