Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://libr.msu.by/handle/123456789/17251| Название: | Моделирование переходных слоев в структуре полупроводник-диэлектрик-полупроводник |
| Авторы: | Стаськов, Н. И. Ивашкевич, И. В. |
| Ключевые слова: | оптика проводники |
| Дата публикации: | 2011 |
| Издательство: | Могилевский государственный университет имени А. А. Кулешова |
| Библиографическое описание: | Стаськов, Н. И. Моделирование переходных слоев в структуре полупроводник-диэлектрик-полупроводник / Н. И. Стаськов, И. В. Ивашкевич // Оптика неоднородных структур – 2011 : материалы III Междунар. науч.-практ. конф., 16–17 февраля 2011 г. / редкол. : В. А. Карпенко [и др.]. – Могилев : МГУ имени А.А. Кулешова, 2011. – С. 92–94. |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | https://libr.msu.by/handle/123456789/17251 |
| ISBN: | 978-985-480-702-7 |
| Располагается в коллекциях: | 2011 (Полный текст) |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| S708.pdf | 323,5 kB | Adobe PDF |  Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.