Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://libr.msu.by/handle/123456789/16262| Название: | Спектральная эллипсометрия металлических, диэлектрических и полупроводниковых структур |
| Авторы: | Стаськов, Н. И. Сотский, А. Б. Ивашкевич, И. В. |
| Ключевые слова: | полупроводниковые структуры спектральная эллипсометрия дисперсия |
| Дата публикации: | 2012 |
| Издательство: | Могилевский государственный университет имени А. А. Кулешова |
| Библиографическое описание: | Стаськов, Н. И. Спектральная эллипсометрия металлических, диэлектрических и полупроводниковых структур / Н. И. Стаськов, А. Б. Сотский, И. В. Ивашкевич // Итоги научных исследований ученых МГУ им. А.А. Кулешова : сборник научных статей / под ред. А. В. Иванова, Е. К. Сычовой. – Могилев : МГУ им. А.А. Кулешова, 2012. – С. 29–35. |
| Краткий осмотр (реферат): | Созданы и программно реализованы новые методики и алгоритмы решения обратных задач спектральной эллипсометрии структур, содержащих металлические, диэлектрические и полупроводниковые слои с учетом переходных областей. Разработка служит для определения дисперсии оптических характеристик материалов, используемых в микроэлектронике и устройствах интегральной и волоконной оптики. |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | https://libr.msu.by/handle/123456789/16262 |
| ISBN: | 978-985-480-811-6 |
| Располагается в коллекциях: | 2012 (Полный текст) |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| s2.PDF | 851,92 kB | Adobe PDF |  Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.